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原子层沉积(ALD)

原子层沉积(ALD)是一种薄膜生长技术，能够为电子器件(电源和射频)沉积无针孔和均匀的绝缘体薄膜。ALD在高长宽比沟槽和通孔结构上提供了优异的保形性，在角级的厚度控制，以及基于连续、自限性反应的可调整薄膜成分。Samco提供高度灵活的开放式热ALD系统AL-1和负载锁定等离子体增强ALD系统AD-230LP。

主要特点和优点

• 可以在原子层水平上实现均匀的层控制。
• 可实现高纵横比结构的共形沉积。
• 具有优良的平面内均匀性和再现性，实现了稳定的工艺。
• 采用独特的反应室结构，优化了原料的气路和气体流，抑制了粒子。
• 通过采用电容耦合等离子体(CCP)系统，使反应室体积最小化，缩短了气体吹扫时间，加快了一个循环的速度。

应用

• 氮化膜（AlN、SiN）的形成和低温形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。
• 电子设备的闸门绝缘子
• 半导体、有机EL等的钝化膜。
• 半导体激光器的反射面
• 在MEMS等3D结构上的沉积
• 石墨烯上的沉积
• 碳纳米管保护膜粉末涂层

莎姆克于1979年，在日本京都一个小车库创立。同年莎姆克生产了第一台为非晶硅太阳电池研究的等离子体化学气相沉积设备（PECVD）。从平凡的开端，到现在莎姆克已经成长为一个价值数百万美元的全球品牌，拥有超过150名员工，为我们“发展中的伙伴”客户提供了大量的技术解决方案。莎姆克仍将保持这种创业精神。

日本莎姆克株式会社上海代表处成立于2005年，致力于推广Samco公司的最新技术和产品，并为提供客户更快捷优质的售后服务。
从京都到半导体加工的前沿，Samco的系统在薄膜领域领先技术。生产和研发团队--在汽车安全、生物技术、可再生能源和其他高科技领域工作。SAMCO的持久系统，世界级的食谱数据库和提示服务帮助您最小化停机时间，提高洁净室的效率，同时降低成本。我们给团队可靠的工具和资源，使您的企业或组织推动现代薄膜技术的极限。
与许多其他竞争对手不同，Samco专业从事等离子技术，拥有40年的工作经验。我们敬业的工程师
技术人员与您的生产和研发团队密切合作，从评估您的具体挑战到开发。自定义解决方案并在您的设备中安装系统。我们还培训您的生产人员，并及时跟进。
自该公司于1979年在日本京都由等离子技术先驱，津司(Osamu Tsuji)创立以来，已有4000多人成立。
SAMCO系统已在30个国家安装和使用。我们的设备和服务广泛应用于工业，包括电源/射频器件、微发光二极管、激光二极管、VCSELs、MEMS、RF滤波器等