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C.PLASMA太阳能电池PECVD技术系统
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德国
主营产品:
真空焊接系统,用于直接铜焊接(DCB)的马弗炉,传送带炉
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产品参数

参数名称

数值范围

说明

炉管数量

5~10

 

硅片尺寸

up to M10~M12

 

稼动率

SiNx> 98%| AlOx> 97%

 

典型的开路电压(单晶)**

660- 675 mV

*可满足客户多种工艺要求
**恒温区温差+1°C
***可选配最高温1200°C

典型的开路电压(多晶)*

645 - 665 mV

氧化铝折射率

1.64土0.02

典型膜厚***

SiNx< 75- 120nm| AlOx4- 10 nm

三甲基铝消耗

<5mgr/wafer

 

产品描述

全球装机量超过1250台,centrotherm的PECVD平台C.PLASMA为太阳能电池的钝化和减反射膜设定了技术标杆和行业标准。该系统独特地集高产能、优异工艺性能与低运行成本于一体。

centrotherm可针对不同的硅片尺寸和产能要求提供两种主要配置。

除了用于166mm硅片的5管设备外, centrotherm还推出来引领光伏产业发展的新一代C.PLASMAX。基于其成熟的平台,C.PLASMAX为高产能设定了新标准。

10管设计同样为边长达210mm的硅片提供了最大的灵活性和系统可用性。最值得称道的是,它集成了TMA供应柜和真空泵,从而显著节省了占地面积。在生产负荷和工艺步骤发现变化的情况下,仍能保证平稳运转。

最大的灵活性

C.PLASMA具有高度可配置化设计,通过经济合理的手段,实现广泛的工艺、产能和自动化水平要求。因此,它是高性能太阳能电池技术中最为灵活的高产能生产解决方案。

该系统提出了一种先进的设备利用理念,并装配有新一代等离子体电源。新- - 代设备配有优化的电源管理系统和厚度自动修正功能。

直接等离子沉积工艺

centrotherm的直接等离子体沉积技术可提供高质量的减反射膜、高密度的掩层以及极佳的表面和体钝化效果,带来最大的效率增益。

由于仅对石墨舟和硅片进行沉积,工艺腔不会因沉积过程而受到影响。该设备不需要周期性的腔体清洁,因此量产过程中可达到行业领先的设备稼动率。

PECVD工艺

· 氮化硅(SiNx)

· 氧化铝(AIOx)

· 氮氧化硅(SiONx)

· 氧化硅(SiOx) 

· 多晶硅

更多工艺

· 多层膜

· 渐变膜

氮化硅减反层&钝化层的行业标准

· SiNx层具有优异的氢钝化效果

· 渐变和多层膜可以提高更宽波段的减反射效果

· 效率提升,外观优化

· SiNx层中的高含氢量,对后续抗LD再生工艺有积极的影响,尤其是单晶太阳能电池

高性价比PERC解决方案

高效太阳能电池生产工艺

· 在AIOx厚度为4-10nm的AlOx/SiNx叠层沉积中具有优异的钝化性能

· 只需改变工艺气体, ,可一步完成AlOx/SiNx叠层沉积

· 各管自由切换工艺配方

· 适用于单晶和多晶太阳能电池的生产

· 优异的表面覆盖均匀性

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