







产品参数
参数名称 | 数值范围 | 说明 |
炉管数量 | 5~10 |
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硅片尺寸 | up to M10~M12 |
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稼动率 | SiNx> 98%| AlOx> 97% |
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典型的开路电压(单晶)** | 660- 675 mV | *可满足客户多种工艺要求 |
典型的开路电压(多晶)* | 645 - 665 mV | |
氧化铝折射率 | 1.64土0.02 | |
典型膜厚*** | SiNx< 75- 120nm| AlOx4- 10 nm | |
三甲基铝消耗 | <5mgr/wafer |
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产品描述
全球装机量超过1250台,centrotherm的PECVD平台C.PLASMA为太阳能电池的钝化和减反射膜设定了技术标杆和行业标准。该系统独特地集高产能、优异工艺性能与低运行成本于一体。
centrotherm可针对不同的硅片尺寸和产能要求提供两种主要配置。
除了用于166mm硅片的5管设备外, centrotherm还推出来引领光伏产业发展的新一代C.PLASMAX。基于其成熟的平台,C.PLASMAX为高产能设定了新标准。
10管设计同样为边长达210mm的硅片提供了最大的灵活性和系统可用性。最值得称道的是,它集成了TMA供应柜和真空泵,从而显著节省了占地面积。在生产负荷和工艺步骤发现变化的情况下,仍能保证平稳运转。
最大的灵活性
C.PLASMA具有高度可配置化设计,通过经济合理的手段,实现广泛的工艺、产能和自动化水平要求。因此,它是高性能太阳能电池技术中最为灵活的高产能生产解决方案。
该系统提出了一种先进的设备利用理念,并装配有新一代等离子体电源。新- - 代设备配有优化的电源管理系统和厚度自动修正功能。
直接等离子沉积工艺
centrotherm的直接等离子体沉积技术可提供高质量的减反射膜、高密度的掩层以及极佳的表面和体钝化效果,带来最大的效率增益。
由于仅对石墨舟和硅片进行沉积,工艺腔不会因沉积过程而受到影响。该设备不需要周期性的腔体清洁,因此量产过程中可达到行业领先的设备稼动率。
PECVD工艺
· 氮化硅(SiNx)
· 氧化铝(AIOx)
· 氮氧化硅(SiONx)
· 氧化硅(SiOx)
· 多晶硅
更多工艺
· 多层膜
· 渐变膜
氮化硅减反层&钝化层的行业标准
· SiNx层具有优异的氢钝化效果
· 渐变和多层膜可以提高更宽波段的减反射效果
· 效率提升,外观优化
· SiNx层中的高含氢量,对后续抗LD再生工艺有积极的影响,尤其是单晶太阳能电池
高性价比PERC解决方案
高效太阳能电池生产工艺
· 在AIOx厚度为4-10nm的AlOx/SiNx叠层沉积中具有优异的钝化性能
· 只需改变工艺气体, ,可一步完成AlOx/SiNx叠层沉积
· 各管自由切换工艺配方
· 适用于单晶和多晶太阳能电池的生产
· 优异的表面覆盖均匀性
















