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液相法 SiC 单晶炉
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中国
主营产品:
碳化硅外延设备、碳化硅晶体生长设备
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商品详情

设备名称:液相法 SiC 单晶炉

设备型号:YS-C08S01

设备尺寸:L1300×W1300×H3600mm

适用工艺:LPE 法 (兼容 PVT 法)

长晶尺寸:6 吋兼容 8 吋

主炉腔体:不锈钢

籽晶/坩埚升降行程:200mm

籽晶/坩埚旋转速度范围:0.1-200rpm

可加热温度范围:800℃~2800℃

 

设备特点:

1、高真空度,高品质泵体、密封设计,各部件严密结合,保障长晶环境;

2、高精密性,高品质电控系统、传动系统、零部件,保障设备精密性和运行稳定性;

3、自主开发,具有自主知识产权,生产制造不受制约,供货稳定,可接受定制。

4、已通过国内知名 SiC 衬底公司验证,并可兼容 8 英吋晶锭

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