苏美达达天下

加热电源：380V±10%    50HZ                       额定功率：70KW

加热方式：电阻加热                                       长晶功率：23KW

最高温度：2500℃                                          长晶温度：1800-2200℃

最大压力：1个标准大气压                             真空室尺寸：φ1000*900（D*H）mm

冷态极限真空度：≤10^ (-5）Pa(l冷炉)         适合长晶尺寸：6‘’-8‘’

保护气氛：高纯氩气、氮气                           温度控制方式：自动控温PLC软件

主机尺寸:约为600*700*2100（长*宽*高）mm

控制方式：触屏式                                         主机重量：1000Kg

哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司于2018年5月成立，是一家技术研发型高科技企业，专注于半导体装备研发、衬底制造、器件设计、技术转移和科研成果转化。 科友半导体立足于哈尔滨，打造科技研发、装备制造、材料生产的产学研一体化园区、推动国内第三代半导体材料和产业水平快速发展。    

哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司成立于2018年5月，坐落于哈尔滨市新区，致力于在黑龙江建设第三代半导体材料研发及装备制造的新高地。公司专注于第三代半导体碳化硅领域，是国内领先的碳化硅衬底材料生产商及碳化硅长晶一站式解决方案提供商，主要从事碳化硅长晶系列设备与材料、碳化硅衬底的研发、生产及销售。其中面向碳化硅外延和器件制造企业、科研院所及其他客户销售碳化硅衬底片、籽晶片、其他碳化硅晶体产品；面向碳化硅制造厂商提供贯穿碳化硅晶体生长全产线的长晶炉及配套设备、长晶材料和相关工艺服务。公司创始人赵丽丽，德国马普所博士，曾任哈尔滨工业大学教授。赵丽丽博士入选国家中组部“万人计划”，科技部科技创新领军人才。企业资质包括：

（1）高新技术企业
（2）省级知识产权优势企业（示范类）
（3）省工程技术研究中心、新型研发机构
（4）专精特新中小企业/创新型中小企业
（5）ISO 9001/14001/45001体系
（6）IATF 16949质量管理体系
（7）授权专利86项，其中发明专利33项
（8）制订5项国家标准，2项SEMI标准，3项企业标准
（9）黑龙江省科技一等奖、二等奖（赵丽丽）
（10）入选2022年“科创中国”新锐企业榜单(黑龙江共2家)
（11）入选“中国衬底十强”榜单（行家说极光奖）
（12）设备入选省“首台（套）”创新产品、通过CE认证

        赵丽丽博士回国前与国际顶级专家顾问建立科研合作关系，吸收消化了当时国际最先进第三代半导体碳化硅长晶技术成果，回国后建立长晶实验室并突破国际封锁引入国际最先进***原型机(含工艺)，后续通过再创新科研逐步实现国产替代和技术迭代，经过10多年的实践，形成大尺寸低成本国产化的碳化硅衬底全产业链自主制备技术(包括长晶设备制造、6&8寸长晶工艺等)，并申请独立知识产权。
公司突破了压接式单晶生长技术、晶体缺陷与应力消除技术、原料提纯烧结技术、籽晶镀膜技术、碳化钽高温蒸镀技术、晶体退火技术等一系列晶体制备关键共性技术，掌握全系列的工艺技术。其中原料提纯烧结技术、原料回收再利用技术、籽晶镀膜技术、碳化钽高温蒸镀技术为独有技术。突破了真空腔体、密封部件、参数分析与自动化程序精密控制等装备关键技术，研制了目前最大尺寸的8英寸感应加热式和电阻加热式SiC晶体生长装备，成为国内唯一同时拥有两种长晶炉的企业。在自研设备的基础上，于2022年制备出国内首颗基于电阻设备的8英寸SiC晶体及衬底。
2023年2月，中国电子学会组织科技成果鉴定会，以郝跃院士为主任的专家委员会评价 “8英寸装备及工艺技术研发难度大，成果创新性强，具有自主知识产权，技术水平国内领先，国际先进”。公司专利涵盖了长晶炉结构设计、热场结构设计、关键长晶工艺等方面，形成了相对完整的专利树。

       科友半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区，致力成为第三代半导体关键材料供应商之一。第三代半导体产学研聚集区2022年8月开始设备铺装，年底前形成120台套长晶炉,已完成长晶炉铺设并投产；2023年9月衬底加工产线铺设完成，年产碳化硅衬底5万片，8英寸碳化硅衬底中试线贯通，制备获得首批自产8英寸碳化硅衬底。实现设备年产能400台。
2024年计划新建厂房新增300台长晶炉和配套衬底加工产线，预计产能提升到年产衬底20万片（含8英寸）。