Sumec menuSumec menu

苏美达达天下

全球设备交易服务平台

search 搜索
Image
English
Image
+86 25-84532303
Image
sunyuchen@sumec.com.cn
1 / 4
SiC刻蚀设备
iconicon
发布需求发布需求
恒格
恒格 icon
查看更多
发布需求发布需求
恒格
恒格 icon
中国
主营产品:
等离子处理设备
icon

商品详情

适用工艺:

适用8寸SiC刻蚀,兼容6寸,材质延展适用 GaN,TCV,TGV 工艺;通过上部腔体改造,兼容 TSV,DRiE 等工艺。

设备优势
1、高刻蚀速率,高产出
双射频源 最大5KW 13.56MHz
Bias RF 最大3KW 13.56MHz或400KHz
短距离Gap设计,缩短等离子体与Wafer的距离

2、优异的均匀性
双线圈组合,可独立控制内、外线圈功率大小
独有的导流槽设计,Plasma分布更均匀
独家ESC设计,提升均匀度

3、适应翘曲产品
独特的EPR设计可改善翘曲产品兼容性:深槽刻蚀工艺中可以保护晶边被刻蚀

4、易于维保,低运营成本
腔体及Shield ring最高可加热140°C,防止副产物沉积,提升MTBC
支持Dry clean功能,提升良率,延长MTBC
耗材少,成本低
占地少,维护方便

工艺性能:
刻蚀率:>1.3um/min
均匀性:≤3%
选择比(to Si02):>14:1
颗粒控制:<50ea
侧壁形貌光滑无折角,底部平坦

店铺所有产品
PTH在线等离子除胶处理系统店铺所有产品
垂直等离子蚀刻清洗机店铺所有产品
SiC刻蚀设备店铺所有产品
垂直等离子蚀刻清洗机店铺所有产品