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分子束外延系统组件 热蒸发源
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中国
主营产品:
分子束外延系统(MBE)、 脉冲激光沉积系统(PLD)、 反射式高能电子衍射仪(RHEED)、蒸发源、 电子枪、离子枪等
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商品详情

 

热蒸发源是为蒸发不同元素和化合物设计的,例如III/V族MBE系统,典型的蒸发材料有Ga,In,Al,Si,Be,Cu,Au等。针对不同的材料,我们需要使用不同的源炉。

 

中温束源炉 WEZ

- 温度范围:700℃~1400℃

- 坩埚容量:2~200 cc

- 标准灯丝、冷唇、热唇、双灯丝各种类型

 

低温束源炉 NTEZ

- 温度范围:80℃~1000℃

- 坩埚容量:2~200 cc

- 标准灯丝、冷唇、热唇、双灯丝各种类型

 

高温束源炉 HTEZ/HTS

- 温度范围:~2000℃

- 坩埚容量:1.5~35 cc

- 自支撑W丝加热、热解石墨加热丝

 

大容量束源炉 PEZ

- 温度范围:200℃~1400℃

- 坩埚容量:40~1700 cc

- 标准灯丝、冷唇、热唇、双灯丝各种类型

 

有机物束源炉 OME

- 温度范围:15℃~300℃

- 坩埚容量:2~35 cc

- 温度稳定性:< ±0.02℃

 

耐氧束源炉 OREZ

- 温度范围:200℃~1200℃

- 坩埚容量:10~125 cc

- 标准灯丝、冷唇、热唇、双灯丝各种类型

- 加热丝及屏蔽部件均选用耐氧材质

 

磷掺杂源 DECO

- 通过GaP裂解产生高纯P2,操作简单、安全

- 坩埚容量:10~420 cc

- 工作温度:900℃~1200℃

 

硅升华源 SUSI

- 工作温度:~1400℃

- 超纯硅加热丝及硅屏蔽件,束流的控制精度可达到0.1A/s

- 用于生长超薄Si薄膜,高纯Si掺杂,III-V族掺杂,GaAs掺杂

 

碳升华源 SUKO

- 工作温度:~2300℃

- 高纯PG加热丝

- 用于高纯C掺杂,III-V族掺杂,石墨烯研究

 

热裂解源 TCC

- 温度范围:~1300℃

- 坩埚容量:35, 130 cc

- 三温区设计

- 用于生长Te, Sb, Se, As, Mg

 

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直达具体产品分子束外延系统MBE)、 脉冲激光沉积系统(PLD)、 反射式高能电子衍射仪(RHEED)、蒸发源离子源‍、电子枪

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