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阀式裂解源
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中国
主营产品:
分子束外延系统(MBE)、 脉冲激光沉积系统(PLD)、 反射式高能电子衍射仪(RHEED)、蒸发源、 电子枪、离子枪等
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商品详情

对于一些特殊材料,如As,Sb,Se,S,Te等需要用裂解的方式进行外延生长。

砷裂解源VACS,专用于As元素相关的III-V族MBE生长
 

硒裂解源VSCS,专用于硒化物II-VI族MBE生长

磷硒裂解源VGCS,专门用于制备磷化物,例如,GaP,InP等材料,应用于HEMTS,HBTS和GaAlInP激光二极管等器件中。

VCCS,用于Sb,Te,Mg等腐蚀性材料的生长


 

砷元素阀式裂解源-VACS专门为As元素相关的III-V族MBE生长设计。
 

产品特点:
 

兼容各类MBE系统

坩埚容量:300 ~ 500 cc;

高精度快速束流控制;

集成水冷罩;

阀门充分开启截面;


 

VSCS阀式裂解源专门用于硒化物II-VI族分子束外延生长。

产品特点:
 

 

坩埚容量:300/500 cc;

自动阀门控制优化束流;

阀门防堵设计;


 

VGCS阀式裂解源专门用于制备磷化物

例如,GaP,InP等材料,应用于HEMTS,HBTS和GaAlInP激光二极管等器件中。

产品特点:
 

P2产出比高 (P2 / P4>150);

坩埚容量:100 ~ 420 cc;

大截面锥形阀;

快速稳定束流产出;

安全装载设计;

没有裂解区;

兼容各种MBE系统;

自动挡板控制;
 

点击可查看更多“产品分类‍”‍

直达具体产品分子束外延系统MBE)、 脉冲激光沉积系统(PLD)、 反射式高能电子衍射仪(RHEED)、蒸发源离子源‍、电子枪


 

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